BSS806NEH6327XTSA1 vs BSS126H6327XTSA2 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSS806NEH6327XTSA1 توسط Infineon و BSS126H6327XTSA2 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSS806NEH6327XTSA1 | BSS126H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSS806NEH6327XTSA1 | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Mode of Operation | Enhancement-mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 20 V (maximum) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 2.3 A (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| On-Resistance RDS(on) | 57 mOhm (maximum) | — |
| بسته‌بندی | PG-SOT23 (SOT-23-3) | SOT-23-3 (PG-SOT23) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تعداد پایه | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Yes (compliant) | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| محدوده دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55C to +150C (junction, typical) |
| FET Type | — | N-Channel Depletion Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 21 mA |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 500 mW |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 500 ohm (typical for depletion-mode) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Range | — | [DATA_NEEDED: VGS max/min] |
| Technology | — | SIPMOS (DMOS) |
| Configuration | — | Single |
| Channel Mode | — | Depletion (normally-on at VGS = 0) |
| سطح MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes (Infineon 'green' package) |