BSZ018NE2LSATMA1 vs IPD90P04P405ATMA2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ018NE2LSATMA1 tarafından Infineon ve IPD90P04P405ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSZ018NE2LSATMA1 | IPD90P04P405ATMA2 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | -40 V |
| Continuous Drain Current (TA) | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (TC) | 40 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 69 W | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| Paket | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Klorürsüz | Yes | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | -90 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 125 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V | — | 4.7 mΩ (typical) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Pin Sayısı | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Process Technology | — | OptiMOS-P2 (trench + field plate) |