BSZ018NE2LSATMA1 vs IPD90P04P405ATMA2 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSZ018NE2LSATMA1 bằng Infineon và IPD90P04P405ATMA2 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LSATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET, 23A/40A | Infineon

BSZ018NE2LSATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET, 23A/40A | Infineon

BSZ018NE2LSATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 - P-Channel 40V 90A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90P04P405ATMA2 - P-Channel 40V 90A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90P04P405ATMA2 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSZ018NE2LSATMA1 IPD90P04P405ATMA2
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 25V —
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V -40 V
Continuous Drain Current (TA) 23 A —
Continuous Drain Current (TC) 40 A —
Power Dissipation (TA) 2.1 W —
Power Dissipation (TC) 69 W —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C -55 °C to +175 °C (Tj)
Hộp PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Đông trùng haogen Yes —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — -90 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V — 4.7 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Số chân — 3 (Gate, Drain, Source)
Process Technology — OptiMOS-P2 (trench + field plate)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá