BSZ018NE2LSATMA1 vs IPD90P04P405ATMA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ018NE2LSATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD90P04P405ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 - P-Channel 40V 90A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90P04P405ATMA2 - P-Channel 40V 90A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90P04P405ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ018NE2LSATMA1 IPD90P04P405ATMA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 25V —
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V -40 V
Continuous Drain Current (TA) 23 A —
Continuous Drain Current (TC) 40 A —
Power Dissipation (TA) 2.1 W —
Power Dissipation (TC) 69 W —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55 °C to +175 °C (Tj)
پیکیج PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — -90 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V — 4.7 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source)
Process Technology — OptiMOS-P2 (trench + field plate)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں