BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ065N03LSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ036NE2LSATMA1 tarafından Infineon ve BSZ065N03LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSZ036NE2LSATMA1 | BSZ065N03LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 16 A | 12 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 37 W | 26 W |
| Paket | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | Single N-Channel |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| MSL Seviyesi | 1 (Unlimited) | 1 |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Series | — | OptiMOS 30V |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Paket / Kas | — | PG-TSDSON-8-FL (S308) |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Gate Drive (typical) | — | 4.5 V |