BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ065N03LSATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSZ036NE2LSATMA1 מאת Infineon ו BSZ065N03LSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSZ036NE2LSATMA1 | BSZ065N03LSATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 16 A | 12 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 37 W | 26 W |
| מארז | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | Single N-Channel |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| רמת MSL | 1 (Unlimited) | 1 |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Series | — | OptiMOS 30V |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| מארז / Case | — | PG-TSDSON-8-FL (S308) |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Gate Drive (typical) | — | 4.5 V |