BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ065N03LSATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSZ036NE2LSATMA1 توسط Infineon و BSZ065N03LSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSZ036NE2LSATMA1 | BSZ065N03LSATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 16 A | 12 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 37 W | 26 W |
| بسته‌بندی | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | Single N-Channel |
| محدوده دمای کاری | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| سطح MSL | 1 (Unlimited) | 1 |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Series | — | OptiMOS 30V |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| بسته‌بندی / کیس | — | PG-TSDSON-8-FL (S308) |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Gate Drive (typical) | — | 4.5 V |