BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ065N03LSATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSZ036NE2LSATMA1 bằng Infineon và BSZ065N03LSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1 - 25V N-Channel OptiMOS Power MOSFET | Infineon

BSZ036NE2LSATMA1 - 25V N-Channel OptiMOS Power MOSFET | Infineon

BSZ036NE2LSATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N03LSATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSZ065N03LSATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSZ065N03LSATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSZ036NE2LSATMA1 BSZ065N03LSATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 16 A 12 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W 2.1 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C 37 W 26 W
Hộp PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Configuration Single Single N-Channel
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C -55C to +150C (junction)
Cấp MSL 1 (Unlimited) 1
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Gate Drive Logic-level compatible —
Series — OptiMOS 30V
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Hộp / Vỏ — PG-TSDSON-8-FL (S308)
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS)
Gate Drive (typical) — 4.5 V

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá