EP3C10F256I7 vs EP3C10F256C6 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma EP3C10F256I7 tarafından Intel ve EP3C10F256C6 tarafından IntelAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre EP3C10F256I7 EP3C10F256C6
Marka Intel Intel
Kategori FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Yaşam Döngüsü Durumu NRND Aktif
Device Type Cyclone III Field Programmable Gate Array (FPGA) —
Logic Cells 10,320 logic cells —
Embedded Memory 423,936 bits —
I/O Count 182 I/O pins —
Total Terminals 256 terminals —
Package Type 256-LBGA —
Package Family LBGA —
Package Shape Square —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (BGA)
Terminal Form Ball —
İşletim Sıcaklığı -40°C to +125°C -40 C to +125 C (industrial, suffix 'C')
Temperature Grade Industrial —
Besleme Gerilimi [DATA_NEEDED: supply voltage range] —
Core Voltage [DATA_NEEDED: core voltage] —
I/O Standard [DATA_NEEDED: supported I/O standards] —
Configuration Interface [DATA_NEEDED: configuration interfaces] —
Lead-Free Status Lead Free —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free FBGA)
REACH Status [DATA_NEEDED: REACH status] —
Manufacturer Family Cyclone III —
Logic Block Count 10,320 logic blocks —
Family — Cyclone III
Logic Elements (LE) — 10,320
Total Memory Bits — 423,936 bits
Embedded 18x18 Multipliers — 23
PLLs — 2
Maximum User I/Os — 182
Paket — 256-FBGA (FineLine BGA, 17x17 mm, 1.0 mm pitch)
Core Voltage (VCCINT) — 1.15 V to 1.25 V (typ. 1.2 V)
I/O Voltage (VCCIO) — 1.2 V to 3.3 V (bank-dependent)
Process Technology — 60 nm low-power CMOS
Configuration Memory — SRAM-based (external EPCS flash required)
Speed Grade — 6
MSL Seviyesi — 3 (168 hours)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin