EP3C10F256I7 vs EP3C10F256C6 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP3C10F256I7 par Intel et EP3C10F256C6 par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP3C10F256I7 EP3C10F256C6
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie NRND Actif
Device Type Cyclone III Field Programmable Gate Array (FPGA) —
Logic Cells 10,320 logic cells —
Embedded Memory 423,936 bits —
I/O Count 182 I/O pins —
Total Terminals 256 terminals —
Package Type 256-LBGA —
Package Family LBGA —
Package Shape Square —
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Terminal Form Ball —
Température de fonctionnement -40°C to +125°C -40 C to +125 C (industrial, suffix 'C')
Temperature Grade Industrial —
Tension d'alimentation [DATA_NEEDED: supply voltage range] —
Core Voltage [DATA_NEEDED: core voltage] —
I/O Standard [DATA_NEEDED: supported I/O standards] —
Configuration Interface [DATA_NEEDED: configuration interfaces] —
Lead-Free Status Lead Free —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free FBGA)
REACH Status [DATA_NEEDED: REACH status] —
Manufacturer Family Cyclone III —
Logic Block Count 10,320 logic blocks —
Family — Cyclone III
Logic Elements (LE) — 10,320
Total Memory Bits — 423,936 bits
Embedded 18x18 Multipliers — 23
PLLs — 2
Maximum User I/Os — 182
Boîtier — 256-FBGA (FineLine BGA, 17x17 mm, 1.0 mm pitch)
Core Voltage (VCCINT) — 1.15 V to 1.25 V (typ. 1.2 V)
I/O Voltage (VCCIO) — 1.2 V to 3.3 V (bank-dependent)
Process Technology — 60 nm low-power CMOS
Configuration Memory — SRAM-based (external EPCS flash required)
Speed Grade — 6
Niveau MSL — 3 (168 hours)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis