EP3C10F256I7 vs EP3C10F256C6 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של EP3C10F256I7 מאת Intel ו EP3C10F256C6 מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר EP3C10F256I7 EP3C10F256C6
מותג Intel Intel
קטגוריה FPGA & CPLD FPGA & CPLD
סטטוס מחזור חיים NRND פעיל
Device Type Cyclone III Field Programmable Gate Array (FPGA) —
Logic Cells 10,320 logic cells —
Embedded Memory 423,936 bits —
I/O Count 182 I/O pins —
Total Terminals 256 terminals —
Package Type 256-LBGA —
Package Family LBGA —
Package Shape Square —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount (BGA)
Terminal Form Ball —
טמפרטורת פעולה -40°C to +125°C -40 C to +125 C (industrial, suffix 'C')
Temperature Grade Industrial —
מתח אספקה [DATA_NEEDED: supply voltage range] —
Core Voltage [DATA_NEEDED: core voltage] —
I/O Standard [DATA_NEEDED: supported I/O standards] —
Configuration Interface [DATA_NEEDED: configuration interfaces] —
Lead-Free Status Lead Free —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free FBGA)
REACH Status [DATA_NEEDED: REACH status] —
Manufacturer Family Cyclone III —
Logic Block Count 10,320 logic blocks —
Family — Cyclone III
Logic Elements (LE) — 10,320
Total Memory Bits — 423,936 bits
Embedded 18x18 Multipliers — 23
PLLs — 2
Maximum User I/Os — 182
מארז — 256-FBGA (FineLine BGA, 17x17 mm, 1.0 mm pitch)
Core Voltage (VCCINT) — 1.15 V to 1.25 V (typ. 1.2 V)
I/O Voltage (VCCIO) — 1.2 V to 3.3 V (bank-dependent)
Process Technology — 60 nm low-power CMOS
Configuration Memory — SRAM-based (external EPCS flash required)
Speed Grade — 6
רמת MSL — 3 (168 hours)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר