FDS6575 vs IRF7306TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma FDS6575 tarafından onsemi ve IRF7306TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre FDS6575 IRF7306TRPBF
Marka onsemi Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity P-Channel P-Channel (dual)
Drain-Source Voltage (VDS) -20 V —
Continuous Drain Current (ID) -10 A -3.6 A at 25°C
On-Resistance (RDS(on)) 13 mOhm max at VGS = -4.5 V —
Gate Drive Voltage Range 2.5 V to 8 V —
Gate Eşik Voltage [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Technology PowerTrench (rugged gate) HEXFET Power MOSFET (Generation V)
Paket SOIC-8 (SO-8) 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation [DATA_NEEDED: power dissipation at TA] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55°C to +150°C (junction)
Configuration Single MOSFET —
Gate Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
RoHS Durumu Compliant —
Number of Channels — 2 (independent, in single package)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
On-Resistance RDS(on) max — 100 mOhm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Maximum Power Dissipation — 2 W at TA = 25°C
Packaging — Tape & Reel (TR)
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
Qualification — Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet)
Avalanche Rated — Yes (ruggedized device per datasheet)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin