FDS6575 vs IRF7306TRPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از FDS6575 بذریعہ onsemi اور IRF7306TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | FDS6575 | IRF7306TRPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | onsemi | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Polarity | P-Channel | P-Channel (dual) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -10 A | -3.6 A at 25°C |
| On-Resistance (RDS(on)) | 13 mOhm max at VGS = -4.5 V | — |
| Gate Drive Voltage Range | 2.5 V to 8 V | — |
| گیٹ تھریشولڈ وولٹیج | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Technology | PowerTrench (rugged gate) | HEXFET Power MOSFET (Generation V) |
| پیکیج | SOIC-8 (SO-8) | 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Power Dissipation | [DATA_NEEDED: power dissipation at TA] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55°C to +150°C (junction) |
| Configuration | Single MOSFET | — |
| Gate Source Voltage (VGS) Range | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Number of Channels | — | 2 (independent, in single package) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 100 mOhm at VGS = -10 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Maximum Power Dissipation | — | 2 W at TA = 25°C |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Compliance | — | Yes (PBF suffix indicates Pb-free) |
| Qualification | — | Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet) |
| Avalanche Rated | — | Yes (ruggedized device per datasheet) |