FDS6575 vs IRF7306TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của FDS6575 bằng onsemi và IRF7306TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF - Dual P-Ch -30V 3.6A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7306TRPBF - Dual P-Ch -30V 3.6A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7306TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số FDS6575 IRF7306TRPBF
Thương hiệu onsemi Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity P-Channel P-Channel (dual)
Drain-Source Voltage (VDS) -20 V —
Continuous Drain Current (ID) -10 A -3.6 A at 25°C
On-Resistance (RDS(on)) 13 mOhm max at VGS = -4.5 V —
Gate Drive Voltage Range 2.5 V to 8 V —
Điện áp mức ngưỡng cửa [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Technology PowerTrench (rugged gate) HEXFET Power MOSFET (Generation V)
Hộp SOIC-8 (SO-8) 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation [DATA_NEEDED: power dissipation at TA] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55°C to +150°C (junction)
Configuration Single MOSFET —
Gate Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Trạng thái RoHS Compliant —
Number of Channels — 2 (independent, in single package)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
On-Resistance RDS(on) max — 100 mOhm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Maximum Power Dissipation — 2 W at TA = 25°C
Packaging — Tape & Reel (TR)
Cấp MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
Qualification — Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet)
Avalanche Rated — Yes (ruggedized device per datasheet)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá