H5AN4G8NBJR-PBC vs H5AN4G8NBJR-UHCR Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN4G8NBJR-PBC tarafından SK hynix ve H5AN4G8NBJR-UHCR tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5AN4G8NBJR-PBC H5AN4G8NBJR-UHCR
Marka SK hynix SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Memory Density 4 Gbit —
Organizasyon 512M x 8 512M x 8
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Arayüz Türü Parallel, JEDEC DDR4 —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Speed Grade PBC UH (DDR4-2400 class, PC2400)
Clock Frequency [DATA_NEEDED: Clock Frequency] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Paket 78-ball FBGA 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (BGA solder-down)
Normal Operating Case Temperature 0C to 85C —
Extended Temperature Range up to 95C case (with increased refresh) Up to +95C case temperature (per datasheet conditions)
Lead Free Yes Yes
Klorürsüz Yes Yes
Refresh 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification]
Density — 4 Gbit
Besleme Gerilimi — 1.2 V (VDD)
Arayüz — DDR4 SSTL12
Internal Prefetch — 8n
Operating Case Temperature — -40C to +85C (industrial range)
RoHS Durumu — Compliant
Packaging Suffix — -R = Tape and Reel
CAS Gecikme — [DATA_NEEDED: CL value for UH grade]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin