IAUCN08S7L013ATMA1 vs ISC045N03L5SATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN08S7L013ATMA1 tarafından Infineon ve ISC045N03L5SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN08S7L013ATMA1 ISC045N03L5SATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 30 V
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) 1.26 mΩ —
Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] —
Continuous Drain Current (TJ) 293 A —
Power Dissipation (TC) 219 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C -55 °C to +150 °C
Paket PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (suffix ATMA1) —
Part Number — ISC045N03L5SATMA1
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS 5 / Trench
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 63 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V @ ID=250 µA
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 13 nC @ VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) — 870 pF @ VDS=15 V
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 30 W

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin