IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD70N10S312ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD35N10S3L26ATMA2 tarafından Infineon ve IPD70N10S312ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD35N10S3L26ATMA2 IPD70N10S312ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Family OptiMOS-T OptiMOS-T Power-Transistor
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 35 A 70 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 24 mOhm —
Power Dissipation (Ptot, Tc) 71 W —
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
Paket PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab)
Pin Sayısı 3 (Drain, Source, Gate + tab) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T) —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
Part Number — IPD70N10S312ATMA1
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Input Capacitance (Ciss) — 4355 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 65 nC @ 10 V
Operating Temperature (TJ) — -55 °C to +175 °C
Avalanche Tested — 100 % (per datasheet)
RoHS Compliance — Green product, RoHS compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin