IPD50N06S409ATMA2 vs IPD053N06NATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD50N06S409ATMA2 tarafından Infineon ve IPD053N06NATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD50N06S409ATMA2 | IPD053N06NATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 °C to +175 °C | — |
| Paket | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK-2), Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (2 + Tab) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Series | — | OptiMOS 5 60V |
| Transistor Polarity | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/- 20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 45 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 18 A |
| On-State Resistance (RDS(on), max) | — | 5.3 mOhm @ VGS=10V |
| Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +175C (Tj) [DATA_NEEDED: precise operating range min/max from datasheet] |