IPD50N06S409ATMA2 vs IPD053N06NATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD50N06S409ATMA2 מאת Infineon ו IPD053N06NATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPD50N06S409ATMA2 | IPD053N06NATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 °C to +175 °C | — |
| מארז | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK-2), Surface Mount |
| מספר פינים | 3 (2 + Tab) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Series | — | OptiMOS 5 60V |
| Transistor Polarity | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/- 20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 45 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 18 A |
| On-State Resistance (RDS(on), max) | — | 5.3 mOhm @ VGS=10V |
| Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +175C (Tj) [DATA_NEEDED: precise operating range min/max from datasheet] |