IPD50N06S409ATMA2 vs IPD053N06NATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD50N06S409ATMA2 توسط Infineon و IPD053N06NATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD50N06S409ATMA2 ✓ فعال
Infineon
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 - 60V 45A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPD053N06NATMA1 - 60V 45A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPD053N06NATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD50N06S409ATMA2 IPD053N06NATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
دمای اتصال کاری -55 °C to +175 °C —
بسته‌بندی PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK-2), Surface Mount
تعداد پایه 3 (2 + Tab) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS 5 60V
Transistor Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — +/- 20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 45 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 18 A
On-State Resistance (RDS(on), max) — 5.3 mOhm @ VGS=10V
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
محدوده دمای کاری — -55C to +175C (Tj) [DATA_NEEDED: precise operating range min/max from datasheet]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت