IPD50N06S409ATMA2 vs IPD053N06NATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD50N06S409ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPD053N06NATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD50N06S409ATMA2 ✓ فعال
Infineon
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 - 60V 45A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPD053N06NATMA1 - 60V 45A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPD053N06NATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD50N06S409ATMA2 IPD053N06NATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK-2), Surface Mount
پن کی تعداد 3 (2 + Tab) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS 5 60V
Transistor Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — +/- 20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 45 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 18 A
On-State Resistance (RDS(on), max) — 5.3 mOhm @ VGS=10V
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C (Tj) [DATA_NEEDED: precise operating range min/max from datasheet]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں