IPD600N25N3GATMA1 vs IPP600N25N3GXKSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD600N25N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPP600N25N3GXKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD600N25N3GATMA1 IPP600N25N3GXKSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 3 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 250 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 25 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 136 W —
On-Resistance RDS(on) max 60 mOhm at VGS = 10 V —
Gate Eşik Voltage [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Paket PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount —
Montaj Türü Surface Mount (Tape & Reel) Through Hole
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
Klorürsüz Yes, per IEC 61249-2-21 —
JEDEC Qualification Qualified for target application —
Series — OptiMOS 3
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 25 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 60 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 136 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Paket / Kas — TO-220-3 (PG-TO220-3-1)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C (junction)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Reverse Recovery Time (trr) — [DATA_NEEDED: trr typical value]
Lead Free Status — Lead Free / RoHS Compliant
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin