IPD600N25N3GATMA1 vs IPP600N25N3GXKSA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD600N25N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IPP600N25N3GXKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD600N25N3GATMA1 | IPP600N25N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | OptiMOS 3 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 250 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 25 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 136 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 60 mOhm at VGS = 10 V | — |
| گیٹ تھریشولڈ وولٹیج | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +175 C | — |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount (Tape & Reel) | Through Hole |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | MOSFET (Metal Oxide) |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| ہیلوجن فری | Yes, per IEC 61249-2-21 | — |
| JEDEC Qualification | Qualified for target application | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 250 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 25 A |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 60 mOhm at VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| پیکیج / کیس | — | TO-220-3 (PG-TO220-3-1) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +175C (junction) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Reverse Recovery Time (trr) | — | [DATA_NEEDED: trr typical value] |
| Lead Free Status | — | Lead Free / RoHS Compliant |
| پن کی تعداد | — | 3 (Gate, Drain, Source) |