IPD90P04P405ATMA2 vs IPB120P04P4L03ATMA2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD90P04P405ATMA2 tarafından Infineon ve IPB120P04P4L03ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD90P04P405ATMA2 | IPB120P04P4L03ATMA2 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | -90 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 125 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V | 4.7 mΩ (typical) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| Paket | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Process Technology | OptiMOS-P2 (trench + field plate) | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant (per Infineon product page) |
| Transistor Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 136 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55C to +175C |
| Technology Family | — | OptiMOS-P2 |
| Configuration | — | Single P-Channel MOSFET |