IPD90P04P405ATMA2 vs IPB120P04P4L03ATMA2 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD90P04P405ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPB120P04P4L03ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD90P04P405ATMA2 | IPB120P04P4L03ATMA2 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | -90 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 125 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V | 4.7 mΩ (typical) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| پیکیج | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Process Technology | OptiMOS-P2 (trench + field plate) | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (per Infineon product page) |
| Transistor Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 136 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +175C |
| Technology Family | — | OptiMOS-P2 |
| Configuration | — | Single P-Channel MOSFET |