IPD90P04P405ATMA2 vs IPB120P04P4L03ATMA2 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD90P04P405ATMA2 מאת Infineon ו IPB120P04P4L03ATMA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IPD90P04P405ATMA2 | IPB120P04P4L03ATMA2 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | -90 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 125 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V | 4.7 mΩ (typical) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| מארז | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Process Technology | OptiMOS-P2 (trench + field plate) | — |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant (per Infineon product page) |
| Transistor Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 136 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +175C |
| Technology Family | — | OptiMOS-P2 |
| Configuration | — | Single P-Channel MOSFET |