IPW60R180P7XKSA1 vs IPA60R180P7SXKSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPW60R180P7XKSA1 tarafından Infineon ve IPA60R180P7SXKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPW60R180P7XKSA1 IPA60R180P7SXKSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology CoolMOS P7 (Superjunction, 7th generation) Superjunction (SJ) N-channel MOSFET
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 18 A —
On-Resistance RDS(on) max 180 mOhm —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Power Dissipation (Pd, Tc=25C) 72 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V —
Gate Drive Voltage (VGS, recommended) 10 V (typical), +/-20 V max —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Paket PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole, 3+tab pins) PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads)
Montaj Türü Through Hole Through Hole
Body Diode Fast body diode with low reverse recovery (Qrr) —
Integrated Gate Resistor Yes —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Orderable Part Number IPW60R180P7XKSA1 (tube pack, industrial grade) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS P7
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 18 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 180 mOhm (max at 25C)
Power Dissipation (PD) at Tc — 26 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (junction)
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin