IPW60R180P7XKSA1 vs IPA60R180P7SXKSA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPW60R180P7XKSA1 بذریعہ Infineon اور IPA60R180P7SXKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPW60R180P7XKSA1 | IPA60R180P7SXKSA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | CoolMOS P7 (Superjunction, 7th generation) | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 180 mOhm | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25C) | 72 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 3.5 V | — |
| Gate Drive Voltage (VGS, recommended) | 10 V (typical), +/-20 V max | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +150C | — |
| پیکیج | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole, 3+tab pins) | PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| Body Diode | Fast body diode with low reverse recovery (Qrr) | — |
| Integrated Gate Resistor | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Orderable Part Number | IPW60R180P7XKSA1 (tube pack, industrial grade) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 18 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 180 mOhm (max at 25C) |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 26 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +150C (junction) |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |
| Lead-Free | — | Yes |