IPW60R180P7XKSA1 vs IPA60R180P7SXKSA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPW60R180P7XKSA1 מאת Infineon ו IPA60R180P7SXKSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPW60R180P7XKSA1 | IPA60R180P7SXKSA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Technology | CoolMOS P7 (Superjunction, 7th generation) | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 180 mOhm | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25C) | 72 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 3.5 V | — |
| Gate Drive Voltage (VGS, recommended) | 10 V (typical), +/-20 V max | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55C to +150C | — |
| מארז | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole, 3+tab pins) | PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads) |
| סוג הרכבה | Through Hole | Through Hole |
| Body Diode | Fast body diode with low reverse recovery (Qrr) | — |
| Integrated Gate Resistor | Yes | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Orderable Part Number | IPW60R180P7XKSA1 (tube pack, industrial grade) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 18 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 180 mOhm (max at 25C) |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 26 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +150C (junction) |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |
| Lead-Free | — | Yes |