IPW65R041CFD vs STI38N65M5 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPW65R041CFD tarafından Infineon ve STI38N65M5 tarafından STMicroelectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPW65R041CFD STI38N65M5
Marka Infineon STMicroelectronics
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel N-Channel
Operating Mode Enhancement —
Technology CoolMOS CFD2 (superjunction, fast body diode) —
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 650 V —
On-Resistance RDS(on) 41 mOhm —
Continuous Drain Current ID 68.5 A (Tc) —
Power Dissipation PD 500 W (Tc) —
Total Gate Charge Qg 300 nC —
Gate-Source Voltage VGS [DATA_NEEDED: VGS rating] —
Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Thermal Resistance RthJC [DATA_NEEDED: RthJC] —
Body Diode Integrated fast body diode —
Paket PG-TO247-3 (TO-247, through-hole) TO-247
Montaj Türü Through Hole Through Hole
Package Color / Material Green plastic (halogen-aware molding per digchip listing) —
RoHS Durumu Compliant (GREEN package per digchip specification listing) Compliant
Application Segment Industrial —
Drain-Source Voltage (VDS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 152 A
Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
On-Resistance (RDS(on)) — 0.099 ohm (typical)
Total Gate Charge (Qg) — 110 nC
Input Capacitance (Ciss) — 4200 pF
Output Capacitance (Coss) — 180 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 12 pF
Avalanche Energy (EAS) — 1.2 J
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +150°C
Klorürsüz — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin