IPW65R041CFD vs STI38N65M5 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPW65R041CFD بذریعہ Infineon اور STI38N65M5 بذریعہ STMicroelectronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

STMicroelectronics
STI38N65M5 STI38N65M5 - 650V 38A N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STI38N65M5 - 650V 38A N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STI38N65M5 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPW65R041CFD STI38N65M5
برانڈ Infineon STMicroelectronics
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel N-Channel
Operating Mode Enhancement —
Technology CoolMOS CFD2 (superjunction, fast body diode) —
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 650 V —
On-Resistance RDS(on) 41 mOhm —
Continuous Drain Current ID 68.5 A (Tc) —
Power Dissipation PD 500 W (Tc) —
Total Gate Charge Qg 300 nC —
Gate-Source Voltage VGS [DATA_NEEDED: VGS rating] —
Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Thermal Resistance RthJC [DATA_NEEDED: RthJC] —
Body Diode Integrated fast body diode —
پیکیج PG-TO247-3 (TO-247, through-hole) TO-247
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Package Color / Material Green plastic (halogen-aware molding per digchip listing) —
RoHS اسٹیٹس Compliant (GREEN package per digchip specification listing) Compliant
Application Segment Industrial —
Drain-Source Voltage (VDS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 152 A
Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
On-Resistance (RDS(on)) — 0.099 ohm (typical)
Total Gate Charge (Qg) — 110 nC
Input Capacitance (Ciss) — 4200 pF
Output Capacitance (Coss) — 180 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 12 pF
Avalanche Energy (EAS) — 1.2 J
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +150°C
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں