IQD016N08NM5ATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQD016N08NM5ATMA1 tarafından Infineon ve IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IQD016N08NM5ATMA1 | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 31 A | 75 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | 323 A | 789 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | 1.6 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | 278 W |
| Paket | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 Power-MOSFET | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 2 V (typ) |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | — | 0.29 mΩ |
| Pin Sayısı | — | 9 |
| Cooling | — | Dual-side exposed pad (top + bottom) |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |