IQD016N08NM5ATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IQD016N08NM5ATMA1 توسط Infineon و IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IQD016N08NM5ATMA1 | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 31 A | 75 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | 323 A | 789 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | 1.6 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | 278 W |
| بسته‌بندی | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 Power-MOSFET | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| محدوده دمای کاری | -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 2 V (typ) |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | — | 0.29 mΩ |
| تعداد پایه | — | 9 |
| Cooling | — | Dual-side exposed pad (top + bottom) |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |