IR2011STRPBF vs IRS2011STRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IR2011STRPBF tarafından Infineon ve IRS2011STRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IR2011STRPBF IRS2011STRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Configuration High-Side and Low-Side (Independent) High-Side and Low-Side, Independent Channels
Number of Drivers 2 (Half-Bridge) —
Peak Source Current 1 A (typical) —
Peak Sink Current 1 A (typical) —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (operational to +200 V) —
Logic Input Compatibility 3.0 V CMOS or LSTTL 3.3 V CMOS / LSTTL
Propagation Delay (typ.) 80 ns —
Turn-On Rise Time (typ.) 35 ns —
Turn-Off Fall Time (typ.) 20 ns —
Offset Voltage Rating 200 V —
Negative Transient Tolerance dV/dt immune Yes, dV/dt immune
İşletim Sıcaklığı -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Paket 8-SOIC (3.90 mm body width) 8-SOIC (DSO-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant —
Fonksiyon — Half-Bridge Gate Driver
Çıkış Sayısı — 2
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 200 V
Output Current (Source / Sink) — 1 A typical / 1 A typical
Propagation Delay (ton/toff) — 60 ns typical
Delay Matching — 20 ns maximum
Bootstrap Supply — Integrated bootstrap diode, floating channel
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
RoHS Durumu — Compliant (PBF suffix)
Suitable Drivers — MOSFETs and IGBTs

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin