IR2011STRPBF vs IRS2011STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2011STRPBF מאת Infineon ו IRS2011STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR2011STRPBF IRS2011STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration High-Side and Low-Side (Independent) High-Side and Low-Side, Independent Channels
Number of Drivers 2 (Half-Bridge) —
Peak Source Current 1 A (typical) —
Peak Sink Current 1 A (typical) —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (operational to +200 V) —
Logic Input Compatibility 3.0 V CMOS or LSTTL 3.3 V CMOS / LSTTL
Propagation Delay (typ.) 80 ns —
Turn-On Rise Time (typ.) 35 ns —
Turn-Off Fall Time (typ.) 20 ns —
Offset Voltage Rating 200 V —
Negative Transient Tolerance dV/dt immune Yes, dV/dt immune
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C -40 C to +125 C
מארז 8-SOIC (3.90 mm body width) 8-SOIC (DSO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant —
פונקציה — Half-Bridge Gate Driver
מספר יציאות — 2
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 200 V
Output Current (Source / Sink) — 1 A typical / 1 A typical
Propagation Delay (ton/toff) — 60 ns typical
Delay Matching — 20 ns maximum
Bootstrap Supply — Integrated bootstrap diode, floating channel
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
סטטוס RoHS — Compliant (PBF suffix)
Suitable Drivers — MOSFETs and IGBTs

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר