IR2011STRPBF vs IRS2011STRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IR2011STRPBF توسط Infineon و IRS2011STRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IR2011STRPBF IRS2011STRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Configuration High-Side and Low-Side (Independent) High-Side and Low-Side, Independent Channels
Number of Drivers 2 (Half-Bridge) —
Peak Source Current 1 A (typical) —
Peak Sink Current 1 A (typical) —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (operational to +200 V) —
Logic Input Compatibility 3.0 V CMOS or LSTTL 3.3 V CMOS / LSTTL
Propagation Delay (typ.) 80 ns —
Turn-On Rise Time (typ.) 35 ns —
Turn-Off Fall Time (typ.) 20 ns —
Offset Voltage Rating 200 V —
Negative Transient Tolerance dV/dt immune Yes, dV/dt immune
دمای کاری -40 C to +125 C -40 C to +125 C
بسته‌بندی 8-SOIC (3.90 mm body width) 8-SOIC (DSO-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant —
عملکرد — Half-Bridge Gate Driver
تعداد خروجی‌ها — 2
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 200 V
Output Current (Source / Sink) — 1 A typical / 1 A typical
Propagation Delay (ton/toff) — 60 ns typical
Delay Matching — 20 ns maximum
Bootstrap Supply — Integrated bootstrap diode, floating channel
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
وضعیت RoHS — Compliant (PBF suffix)
Suitable Drivers — MOSFETs and IGBTs

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت