IRF1010ZPBF vs IRF2907ZSTRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF1010ZPBF tarafından Infineon ve IRF2907ZSTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF1010ZPBF IRF2907ZSTRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 75 A (Tc=25C) —
Power Dissipation (Pd) at Tc 140 W (Tc=25C) —
On-Resistance (Rds on) Max [DATA_NEEDED: Rds(on) max at 10V] (typ approx. 7.5 mOhm per Mouser listing) —
Total Gate Charge (Qg) 63 nC (typ, per Mouser listing) —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Paket TO-220AB (3-pin + tab), Through Hole D2PAK (TO-263AB) surface mount
Configuration Single MOSFET —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Montaj Türü Through Hole Surface Mount (SMD)
Qualification JEDEC industry standard qualification —
Avalanche Rating Improved repetitive avalanche rated Repetitive avalanche allowed up to TJ(max)
RoHS Durumu Compliant (PBF = Pb-free) Compliant
Lead Status Lead Free —
Gate Threshold Voltage (Vgs th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 75 V
Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) — 170 A
Devamlı Akım Akışı (TC=100°C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS = 10 V — 4.5 mOhm
RDS(on) typical at VGS = 10 V — 3.5 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) — 300 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Technology — IR HEXFET / IR MOSFET
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)
Packaging — Tape and Reel (left orientation)
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin