IRF1010ZPBF vs IRF2907ZSTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF1010ZPBF بذریعہ Infineon اور IRF2907ZSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF1010ZPBF IRF2907ZSTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 75 A (Tc=25C) —
Power Dissipation (Pd) at Tc 140 W (Tc=25C) —
On-Resistance (Rds on) Max [DATA_NEEDED: Rds(on) max at 10V] (typ approx. 7.5 mOhm per Mouser listing) —
Total Gate Charge (Qg) 63 nC (typ, per Mouser listing) —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
پیکیج TO-220AB (3-pin + tab), Through Hole D2PAK (TO-263AB) surface mount
Configuration Single MOSFET —
Maximum Junction Temperature 175 C —
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount (SMD)
Qualification JEDEC industry standard qualification —
Avalanche Rating Improved repetitive avalanche rated Repetitive avalanche allowed up to TJ(max)
RoHS اسٹیٹس Compliant (PBF = Pb-free) Compliant
Lead Status Lead Free —
Gate Threshold Voltage (Vgs th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 75 V
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) — 170 A
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=100°C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS = 10 V — 4.5 mOhm
RDS(on) typical at VGS = 10 V — 3.5 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) — 300 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
Technology — IR HEXFET / IR MOSFET
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source)
Packaging — Tape and Reel (left orientation)
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں