IRF2907ZSTRLPBF vs IRFR4615TRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF2907ZSTRLPBF tarafından Infineon ve IRFR4615TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF2907ZSTRLPBF IRFR4615TRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage V(BR)DSS 75 V —
Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) 170 A —
Devamlı Akım Akışı (TC=100°C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
RDS(on) max at VGS = 10 V 4.5 mOhm —
RDS(on) typical at VGS = 10 V 3.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) 300 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Technology IR HEXFET / IR MOSFET IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode)
Paket D2PAK (TO-263AB) surface mount TO-252AA (DPAK)
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
Montaj Türü Surface Mount (SMD) Surface Mount
Packaging Tape and Reel (left orientation) —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
RoHS Durumu Compliant —
Avalanche Rating Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 42 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 26 nC
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 144 W
Avalanche Energy (EAS) — 109 mJ
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
Tek Darbe Yıldırım Enerjisi — 109 mJ

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin