IRF2907ZSTRLPBF vs IRFR4615TRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF2907ZSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFR4615TRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF2907ZSTRLPBF IRFR4615TRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage V(BR)DSS 75 V —
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) 170 A —
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=100°C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
RDS(on) max at VGS = 10 V 4.5 mOhm —
RDS(on) typical at VGS = 10 V 3.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) 300 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C —
Technology IR HEXFET / IR MOSFET IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode)
پیکیج D2PAK (TO-263AB) surface mount TO-252AA (DPAK)
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (SMD) Surface Mount
Packaging Tape and Reel (left orientation) —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Avalanche Rating Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 42 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 26 nC
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 144 W
Avalanche Energy (EAS) — 109 mJ
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
سنگل پلس ایوالانچ انرجی — 109 mJ

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں