IRFH5020TRPBF vs IRFH8201TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFH5020TRPBF tarafından Infineon ve IRFH8201TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFH5020TRPBF IRFH8201TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Family HEXFET Power MOSFET —
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide N-Channel
Configuration Single with built-in diode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 5.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 63 A 324 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 55 mΩ 0.95 mOhm
Gate Charge (Qg) typ 11 nC —
Power Dissipation (TA=25°C) 3.6 W —
Güç Tüketimi (TC=25°C) 8.3 W —
Thermal Resistance, Junction-to-PCB (RthJB) 0.8 °C/W —
Package Type 8-PQFN (5x6 mm) SuperSO8 —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Profile Height ≤ 0.9 mm —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C (TJ max) -55C to +150C
Qualification Standard JEDEC (Normal level) —
Gate Drive Optimization 10 V VGS —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free suffix PBF) —
MSL Seviyesi 1 (per industry standard for PQFN-8) [DATA_NEEDED: MSL level]
Technology — StrongIRFET (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.35 V max
Total Gate Charge (Qg) — 56 nC at VGS=10V
Output Capacitance (Coss) — 7.33 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 850 pF
Power Dissipation (TA) — 3.6 W
Power Dissipation (TC) — 156 W
Paket — SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin