IRFH5020TRPBF vs IRFH8201TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFH5020TRPBF מאת Infineon ו IRFH8201TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFH5020TRPBF IRFH8201TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Family HEXFET Power MOSFET —
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide N-Channel
Configuration Single with built-in diode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 5.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 63 A 324 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 55 mΩ 0.95 mOhm
Gate Charge (Qg) typ 11 nC —
Power Dissipation (TA=25°C) 3.6 W —
פיזור הספק (TC=25°C) 8.3 W —
Thermal Resistance, Junction-to-PCB (RthJB) 0.8 °C/W —
Package Type 8-PQFN (5x6 mm) SuperSO8 —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Profile Height ≤ 0.9 mm —
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +150 °C (TJ max) -55C to +150C
Qualification Standard JEDEC (Normal level) —
Gate Drive Optimization 10 V VGS —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free suffix PBF) —
רמת MSL 1 (per industry standard for PQFN-8) [DATA_NEEDED: MSL level]
Technology — StrongIRFET (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.35 V max
Total Gate Charge (Qg) — 56 nC at VGS=10V
Output Capacitance (Coss) — 7.33 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 850 pF
Power Dissipation (TA) — 3.6 W
Power Dissipation (TC) — 156 W
מארז — SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר