IRFH5020TRPBF vs IRFH8201TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFH5020TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFH8201TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFH5020TRPBF IRFH8201TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Family HEXFET Power MOSFET —
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide N-Channel
Configuration Single with built-in diode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 5.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 63 A 324 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 55 mΩ 0.95 mOhm
Gate Charge (Qg) typ 11 nC —
Power Dissipation (TA=25°C) 3.6 W —
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) 8.3 W —
Thermal Resistance, Junction-to-PCB (RthJB) 0.8 °C/W —
Package Type 8-PQFN (5x6 mm) SuperSO8 —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Profile Height ≤ 0.9 mm —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C (TJ max) -55C to +150C
Qualification Standard JEDEC (Normal level) —
Gate Drive Optimization 10 V VGS —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free suffix PBF) —
MSL لیول 1 (per industry standard for PQFN-8) [DATA_NEEDED: MSL level]
Technology — StrongIRFET (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.35 V max
Total Gate Charge (Qg) — 56 nC at VGS=10V
Output Capacitance (Coss) — 7.33 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 850 pF
Power Dissipation (TA) — 3.6 W
Power Dissipation (TC) — 156 W
پیکیج — SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں