IRFH5020TRPBF vs IRFH8201TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFH5020TRPBF bằng Infineon và IRFH8201TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF - 200V 5.1A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5020TRPBF - 200V 5.1A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5020TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF - 25V N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRFH8201TRPBF - 25V N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRFH8201TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFH5020TRPBF IRFH8201TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Family HEXFET Power MOSFET —
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide N-Channel
Configuration Single with built-in diode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 5.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 63 A 324 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 55 mΩ 0.95 mOhm
Gate Charge (Qg) typ 11 nC —
Power Dissipation (TA=25°C) 3.6 W —
Tiêu hao điện năng (TC=25°C) 8.3 W —
Thermal Resistance, Junction-to-PCB (RthJB) 0.8 °C/W —
Package Type 8-PQFN (5x6 mm) SuperSO8 —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Profile Height ≤ 0.9 mm —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 °C to +150 °C (TJ max) -55C to +150C
Qualification Standard JEDEC (Normal level) —
Gate Drive Optimization 10 V VGS —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free suffix PBF) —
Cấp MSL 1 (per industry standard for PQFN-8) [DATA_NEEDED: MSL level]
Technology — StrongIRFET (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.35 V max
Total Gate Charge (Qg) — 56 nC at VGS=10V
Output Capacitance (Coss) — 7.33 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 850 pF
Power Dissipation (TA) — 3.6 W
Power Dissipation (TC) — 156 W
Hộp — SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad
Trạng thái RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá