IRFS7430TRL7PP vs IRF1018EPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFS7430TRL7PP tarafından Infineon ve IRF1018EPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFS7430TRL7PP IRF1018EPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $0,38
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family StrongIRFET —
Series HEXFET —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) 240 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) [DATA_NEEDED: ID at Tc=100°C] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: IDM pulse spec] —
R_DS(on) max (V_GS=10V) 1.2 mΩ (per family datasheet); 0.75 mΩ typical —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 2.0 V to 3.5 V —
Total Gate Charge (Q_g) 305 nC —
Power Dissipation (P_D, Tc=25°C) 375 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +175°C —
Paket D2PAK (TO-263-7), 7 leads + tab TO-220AB (through-hole, 3-lead)
Montaj Türü Surface Mount Through Hole
Single Pulse Avalanche Energy (E_AS) 1454 mJ (per cross-reference test L=1mH) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi MSL1 (per PartGenie) —
Technology — HEXFET (Power MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 79 A
Rds(on) max at Vgs=10V — 8.4 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 46 nC
Gate Drive Voltage (Vgs) — 10 V (optimized; +/-20 V max)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 110 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C (Tj)
Qualification — JEDEC (Industrial market)
Lead-Free (PBF suffix) — Yes
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin