IRFS7430TRL7PP vs IRF1018EPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFS7430TRL7PP توسط Infineon و IRF1018EPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFS7430TRL7PP IRF1018EPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) — $0.38
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family StrongIRFET —
Series HEXFET —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) 240 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) [DATA_NEEDED: ID at Tc=100°C] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: IDM pulse spec] —
R_DS(on) max (V_GS=10V) 1.2 mΩ (per family datasheet); 0.75 mΩ typical —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 2.0 V to 3.5 V —
Total Gate Charge (Q_g) 305 nC —
Power Dissipation (P_D, Tc=25°C) 375 W —
دمای اتصال کاری -55°C to +175°C —
بسته‌بندی D2PAK (TO-263-7), 7 leads + tab TO-220AB (through-hole, 3-lead)
نوع نصب Surface Mount Through Hole
Single Pulse Avalanche Energy (E_AS) 1454 mJ (per cross-reference test L=1mH) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL MSL1 (per PartGenie) —
Technology — HEXFET (Power MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 79 A
Rds(on) max at Vgs=10V — 8.4 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 46 nC
Gate Drive Voltage (Vgs) — 10 V (optimized; +/-20 V max)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 110 W
محدوده دمای کاری — -55 C to +175 C (Tj)
Qualification — JEDEC (Industrial market)
Lead-Free (PBF suffix) — Yes
تعداد پایه — 3 (Gate, Drain, Source)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت