IRS2101STRPBF vs IR2101STRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRS2101STRPBF tarafından Infineon ve IR2101STRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRS2101STRPBF IR2101STRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Type High-Side, Low-Side (Half-Bridge) Non-Inverting
Number of Drivers 2 2
Çıkış Sayısı 2-OUT —
Çıkış Konfigürasyonu Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V 600 V
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.6 A —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL
VS Transient Range -5 V to +600 V (logic operational) —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Propagation Delay Matching Matched both channels —
dV/dt Immunity Yes (latch-immune CMOS) —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40 C to +125 C
Paket 8-SOIC (SOIC-8) 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
RoHS Durumu Compliant (PBF suffix) Compliant
Configuration — Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (Typ.) — 210 mA
Sink Current (Typ.) — 360 mA
Propagation Delay (Typ.) — 160 ns
Rise Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Negative Transient Immunity on VS — Yes (dV/dt immune)
MSL Seviyesi — MSL 3

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin