IRS2101STRPBF vs IR2101STRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRS2101STRPBF توسط Infineon و IR2101STRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRS2101STRPBF IR2101STRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Driver Type High-Side, Low-Side (Half-Bridge) Non-Inverting
Number of Drivers 2 2
تعداد خروجی‌ها 2-OUT —
پیکربندی خروجی Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V 600 V
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.6 A —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL
VS Transient Range -5 V to +600 V (logic operational) —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Propagation Delay Matching Matched both channels —
dV/dt Immunity Yes (latch-immune CMOS) —
دمای کاری -40C to +125C -40 C to +125 C
بسته‌بندی 8-SOIC (SOIC-8) 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
وضعیت RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Configuration — Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (Typ.) — 210 mA
Sink Current (Typ.) — 360 mA
Propagation Delay (Typ.) — 160 ns
Rise Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Negative Transient Immunity on VS — Yes (dV/dt immune)
سطح MSL — MSL 3

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت