IRS2112STRPBF vs IRS2110STRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRS2112STRPBF tarafından Infineon ve IRS2110STRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRS2112STRPBF IRS2110STRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
High-side Offset Voltage (max) 600 V —
Output Source Current (typ) 0.29 A —
Output Sink Current (typ) 0.6 A —
Gate Drive Supply Range (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply Range (VDD) 3.3 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/TTL CMOS/TTL compatible (3.3 V logic compatible)
Undervoltage Lockout Both channels (VCC and VBS) Yes (VCC and VBS)
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: propagation delay] —
dV/dt Immunity Yes (negative transient tolerant) —
Shutdown Input Yes (active-low) Active-low, forces both outputs low
Paket 16-pin SOIC wide-body 16-pin SOIC Wide-Body (SOIC-WB), Tape and Reel
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 C to +125 C —
MSL Seviyesi 2 (1 year floor life) 3 (168 hours)
RoHS Durumu Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (High-Side and Low-Side)
Çıkış Sayısı — 2
Çıkış Türü — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 500 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Source/Sink Output Current (typ.) — 2.5 A / 2.5 A
Propagation Delay ton/toff (typ.) — 30 ns / 30 ns
Rise/Fall Time (typ.) — 17 ns / 25 ns
Bootstrap Diode — Integrated
İşletim Sıcaklığı — -40 C to +150 C
Lead-Free / RoHS — Lead-Free, RoHS Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin