IRS2112STRPBF vs IRS2110STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS2112STRPBF מאת Infineon ו IRS2110STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRS2110STRPBF IRS2110STRPBF - 500V High/Low-Side Gate Driver | Infineon

IRS2110STRPBF - 500V High/Low-Side Gate Driver | Infineon

IRS2110STRPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IRS2112STRPBF IRS2110STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
High-side Offset Voltage (max) 600 V —
Output Source Current (typ) 0.29 A —
Output Sink Current (typ) 0.6 A —
Gate Drive Supply Range (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply Range (VDD) 3.3 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/TTL CMOS/TTL compatible (3.3 V logic compatible)
Undervoltage Lockout Both channels (VCC and VBS) Yes (VCC and VBS)
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: propagation delay] —
dV/dt Immunity Yes (negative transient tolerant) —
Shutdown Input Yes (active-low) Active-low, forces both outputs low
מארז 16-pin SOIC wide-body 16-pin SOIC Wide-Body (SOIC-WB), Tape and Reel
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
רמת MSL 2 (1 year floor life) 3 (168 hours)
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (High-Side and Low-Side)
מספר יציאות — 2
סוג פלט — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 500 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Source/Sink Output Current (typ.) — 2.5 A / 2.5 A
Propagation Delay ton/toff (typ.) — 30 ns / 30 ns
Rise/Fall Time (typ.) — 17 ns / 25 ns
Bootstrap Diode — Integrated
טמפרטורת פעולה — -40 C to +150 C
Lead-Free / RoHS — Lead-Free, RoHS Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר